КТ3157А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.03
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 60
КТ3157А, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.03
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 60
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.2
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
КП103Ж1, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.012
КТ819Г, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10