КТ502Б, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
КТ502Б, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.35
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
2Т9118А, биполярный транзистор
Структура: NPN
IRFU120NPBF, полевой транзистор 100 В 9.1 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.апр
IRLML6401TRPBF, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Корпус: SOT-23