КТ502Д, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
КТ502Д, транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.35
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
YJG40G10A, полевой транзистор 100 В 40 А
Структура: N-канал
Корпус: PDFN5060
КТ502Б, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
![STD20NF06L, [TO-252]; MOSFETs ROHS;=MTD20N06HD(ON);=SUD25N06(Vishay); STD20NF06L=(ST)= YOUTAI](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/65-16.jpg)