КТ503Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
КТ503Б
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 5
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.35
Корпус: КТ-26 (ТО-92)
Может заинтересовать
IRLML6302TRPBF, полевой транзистор 20 В 0.62 А
Корпус: SOT-23
IRF640NPBF, полевой транзистор 200 В 18 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18