IRF640NPBF, полевой транзистор 200 В 18 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 150
IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 150
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 150
Крутизна характеристики S,мА/В: 6.8
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
КТ852А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 2.5
КП103Л1, полевой транзистор
Структура: P-FET
Максимальное напряжение питания, В: 6
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.066
IRLML0100TRPBF, полевой транзистор 100 В 1.6 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23