КТ645Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
КТ645Б, транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 80
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.5
Корпус: КТ-26
Может заинтересовать
FMMT718TA, SOT23-3
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 20