КТ816Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
КТ816Г
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 25
Корпус: KT-27
Может заинтересовать
КТ801Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
CSD25402Q3AT, полевой транзистор 20 В 76 А
Структура: P-канал
MJD44H11G, DPAK-3, Биполярный транзистор, NPN, 80B, 8 А, 20 Вт
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 8