КТ818Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 12
КТ818Г, транзистор биполярный
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 90
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 12
Граничная частота усиления в малосигнальном режиме, МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Корпус: KT-28
Может заинтересовать
IRF7204, полевой транзистор 20 В 5.3 А
Корпус: SOIC-8
IRGP50B60PD1PBF, IGBT транзистор 600 В 45 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35