Texas Instruments

CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263

Структура: N-канал

Корпус: TO-263

Все характеристики Запросить предложение

CSD18535KTTT — одноканальный N-канальный силовой MOSFET Texas Instruments семейства NexFET с рабочим напряжением 60 В.

Компонент выполнен в корпусе D2PAK и рассчитан на силовые ключевые приложения, где требуется низкое сопротивление открытого канала и эффективный отвод тепла.

Максимальное RDS(on) для данного изделия составляет 2 мОм. Рабочий температурный диапазон — от −55 до +175 °C.

ООО НТП «Интенсив» поставляет CSD18535KTTT и другие MOSFET Texas Instruments под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры CSD18535KTTT

Параметр	Значение
Модель / артикул	CSD18535KTTT
Производитель	Texas Instruments
Серия	NexFET
Тип	N-канальный MOSFET
VDS	60 В
RDS(on), max	2 мОм
Корпус	D2PAK
Температурный диапазон	−55…+175 °C
VGS max	20 В
VGS(th), typ	1,9 В
RDS(on), max @4,5 В	2,9 мОм
Qg, typ	63 нКл
Qgd, typ	10,4 нКл
Qgs, typ	15,7 нКл
ID, silicon limited	279 А
ID, package limited	200 А
Уровень управления	Logic level
Статус	Active

Документация производителя

Официальная карточка Texas Instruments

Структура: N-канал

Корпус: TO-263

CSD18535KTTT, N-канал транзистор 60В 2мОм D2PAK//TO-263

Основные параметры CSD18535KTTT

Документация производителя

Может заинтересовать