FDV301N — N-канальный Digital FET/MOSFET для низковольтной коммутации производства onsemi. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
FDV301N рассчитан на 25 В и непрерывный ток стока 0,22 А. Сопротивление открытого канала составляет до 5 Ом при VGS = 2,7 В и до 4 Ом при VGS = 4,5 В. Корпус — SOT-23.
НТП «Интенсив» поставляет FDV301N под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | FDV301N |
| Производитель | onsemi |
| Тип | Digital FET / MOSFET |
| Канал | N-канал |
| VDS | 25 В |
| ID | 0,22 А |
| Импульсный ток | до 0,5 А |
| RDS(on) | ≤5 Ом @ 2,7 В; ≤4 Ом @ 4,5 В |
| Корпус | SOT-23 |
| VGS(th) | <1,06 В |
| Qg | тип. 0,49 нКл, max 0,7 нКл |
| Qgs | тип. 0,22 нКл |
| Qgd | тип. 0,07 нКл |
| Ciss | тип. 9,5 пФ |
| Coss | тип. 6 пФ |
| Crss | тип. 1,3 пФ |
| Уровень управления | logic level |
Корпус: SOT-23
Может заинтересовать
IRF7828TRPBF, транзистор N канал 30В 13.6А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 13.июн
КТ3102Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 50