IRF7828TRPBF, транзистор N канал 30В 13.6А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 13.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 09.май
IRF7828TRPBF, транзистор N канал 30В 13.6А SO8
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 13.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 09.май
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
КТ502Д, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
ULN2802A, сборка транзисторов Дарлингтона
Uвх., В: 30
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
BC847PN, сдвоенный слабосигнальный NPN+PNP транзистор, 50B, 0.1A, 0.2Вт (SOT-363)
Структура: NPN+PNP
Корпус: SOT-363-6