GT55N06D5 — N-канальный силовой MOSFET GOFORD на 60 В в корпусе DFN5×6-8L.
Характеристики приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать условия измерения RDS(on), тепловой режим и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет GT55N06D5 и другие компоненты GOFORD под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | GT55N06D5 |
| Производитель | GOFORD |
| Тип | N-канальный enhancement-mode power MOSFET |
| VDS | 60 В |
| ID @25 °C | 45 А |
| ID @100 °C | 28 А |
| ID pulse | 180 А |
| RDS(on) max @10 В | 9 мОм |
| RDS(on) max @4,5 В | 13 мОм |
| VGS max | ±20 В |
| Ptot | 52 Вт |
| EAS | 56 мДж |
| RthJA | 50 °C/Вт |
| RthJC | 2,4 °C/Вт |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| Корпус | DFN5×6-8L |
| Монтаж | SMD |
| Упаковка | 5000 шт/катушка |
Документация производителя
Может заинтересовать
IRLML2402, полевой транзистор 20 В 1.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев
![IRLML5203, [SOT-23]; 30V 3A 300mW 85mR@10V,4.1A 3V@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =IRLML5203(INFIN)](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-181.jpg)
IRFHM830DTRPBF, полевой транзистор 30 В 40 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40