IPD100N04S4-02 — автомобильный N-канальный силовой MOSFET Infineon технологии OptiMOS T2 с напряжением 40 В.
Максимальный ток стока при 25 °C составляет 100 А, максимальное RDS(on) при VGS=10 В — 2 мОм. Компонент выполнен в корпусе DPAK (PG-TO252-3).
Транзистор квалифицирован для автомобильных применений и рассчитан на рабочую температуру до +175 °C. При проектировании необходимо учитывать реальные ограничения по теплу и току корпуса.
ООО НТП «Интенсив» поставляет IPD100N04S4-02 и другие MOSFET Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры IPD100N04S4-02
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | IPD100N04S4-02 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Технология | OptiMOS T2 |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 40 В |
| ID @25 °C | 100 А |
| RDS(on), max @10 В | 2 мОм |
| Корпус | DPAK / PG-TO252-3 |
| Температурный диапазон | −55…+175 °C |
| ID pulse | 400 А |
| Ptot | 150 Вт |
| Qg, typ | 91 нКл |
| Qg, max | 118 нКл |
| VGS(th) | 2…4 В, тип. 3 В |
| RthJC | 1 К/Вт |
| Квалификация | Automotive |
| Статус | Active and preferred |
Документация производителя
Может заинтересовать
КТ503Б, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 25
IRF7607PBF, полевой транзистор 20 В 6.5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.май