IPD60R1K0PFD7SAUMA1, полевой транзистор 650 В 8.8 А
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
IPD60R1K0PFD7SAUMA1, N канал транзистор 650В 8.8А DPAK
Структура: N-канал
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
КТ818А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
DG120X07T2, IGBT транзистор 650 В 120 А
Максимальное напряжение питания, В: 650
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 120
Структура*:
дискретный транзистор или со встроенным диодом с мягким восстановлением: n-канал с диодом