Infineon

IRF5210PBF, транзистор P канал100В -40А ТО220AB

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 60

Все характеристики Запросить предложение

IRF5210PBF — P-канальный силовой MOSFET производства Infineon. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.

IRF5210PBF рассчитан на напряжение сток–исток −100 В. Максимальное сопротивление открытого канала составляет 60 мОм при VGS = −10 В. Компонент выполнен в корпусе TO-220.

НТП «Интенсив» поставляет IRF5210PBF под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.

В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.

Основные параметры

Модель	IRF5210PBF
Производитель	Infineon
Тип	MOSFET
Канал	P-канал
VDS	−100 В
RDS(on)	≤60 мОм @ VGS=−10 В
Корпус	TO-220
Рассеиваемая мощность	200 Вт
VGS max	±20 В
VGS(th)	−2…−4 В, тип. −3 В
Qg	тип. 120 нКл @10 В
Qgd	64,7 нКл
RthJC	0,75 К/Вт
Tj max	+175 °C
Монтаж	THT
Статус	Active

Официальная документация Infineon

Структура: P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 100

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -40

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 60

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 200

Крутизна характеристики S,мА/В: 10

Температура, С: -55...+175

Корпус: TO220AB

IRF5210PBF, транзистор P канал100В -40А ТО220AB

Основные параметры

Может заинтересовать