Infineon

IRF7509TRPBF, Транзисторы и сборки MOSFET

Структура: N&P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30/-30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 2.7/-2

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 110/200

Все характеристики Запросить предложение

IRF7509TRPBF — сдвоенный силовой MOSFET Infineon с N- и P-каналом в компактном корпусе Micro8.

Оба канала рассчитаны на напряжение до 30 В. Максимальные токи стока составляют 2,7 А для N-канала и −2 А для P-канала.

Максимальное RDS(on) при VGS=10 В составляет 110 мОм для N-канала и 200 мОм для P-канала. Модель снята с производства, что следует учитывать при закупке.

ООО НТП «Интенсив» поставляет IRF7509TRPBF и подбирает варианты поставки/замены по запросу. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры IRF7509TRPBF

Параметр	Значение
Модель / артикул	IRF7509TRPBF
Производитель	Infineon Technologies
Тип	сдвоенный N+P MOSFET
VDS	30 В
ID	N: 2,7 А / P: −2 А
RDS(on), max @10 В	N: 110 мОм / P: 200 мОм
Корпус	Micro8
Статус	снят с производства
Ptot	1,25 Вт
Qg, typ	7,5 и 7,8 нКл
Qgd, typ	2,5 нКл на канал
VGS max	±20 В
RthJA	100 К/Вт
Tj max	+150 °C
MSL	1

Документация производителя

Официальная карточка Infineon

Структура: N&P-канал

Максимальное напряжение питания, В: 30/-30

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 2.7/-2

Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 110/200

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.25

Крутизна характеристики S,мА/В: 1.9

Температура, С: -55…+150

Корпус: Micro8

IRF7509TRPBF, Транзисторы и сборки MOSFET

Основные параметры IRF7509TRPBF

Документация производителя

Может заинтересовать