RSG75N65HW, биполярный транзистор с изолированным затвором IC=75А ,VCES=650 В
Может заинтересовать
MMBT5551, биполярный транзистор 160 В 600 мА
Структура: NPN
Корпус: SOT-23-3
КТ840А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 900
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 400
IRLML2803TRPBF, полевой транзистор 30 В 1.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев