IRF530NSTRLPBF, полевой транзистор 100 В 17 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 90
IRF530NSTRLPBF, транзистор N канал 100В 17А D2Pak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 90
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 70
Крутизна характеристики S,мА/В: 12
Температура, С: -55...+175
Корпус: D2Pak-2
Может заинтересовать
КТ816Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 3
КТ940А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
IRF6811STRPBF, полевой транзистор 25 В 74 А
Структура: N-канал