IRF630NPBF, полевой транзистор 200 В 9.5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 300
IRF630NPBF, транзистор Nкан 200В 9.5А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.мар
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 300
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 82
Крутизна характеристики S,мА/В: 4.9
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
IRF610PBF, полевой транзистор 200 В 3.3 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.мар
BC857CW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45
BCX56-16, биполярный транзистор 100 В 1 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1