IRF640SPBF, полевой транзистор 200 В 18 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 180
IRF640SPBF, транзистор N канал 200В 18А D2Pak
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 180
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 125
Крутизна характеристики S,мА/В: 6.7
Температура, С: -55…+150
Корпус: D2PAK
Может заинтересовать
BC857CW, биполярный транзистор 50 В 0.1 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-323
IRLML6401TRPBF, полевой транзистор 12 В 4.3 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4/-3
