IRF7303TRPBF, полевой транзистор 30 В 5.3 А
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 05.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 5.2
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
