MMBT5551, биполярный транзистор 160 В 600 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3
Корпус: SOT-23-3
MMBT5551, двунаправленный NPN транзистор, 180B, 600мА, 300мВт (SOT-23)
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 180
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.6
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.3
Корпус: SOT-23-3
Может заинтересовать
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 21
КТ3117А1, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.4
ULN2003AFWG, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7