CSD16404Q5A, транзистор 8SON
CSD16404Q5A — одноканальный N-канальный силовой MOSFET Texas Instruments семейства NexFET с рабочим напряжением 25 В.
Компонент выполнен в компактном 8-выводном корпусе SON 5×6 мм и оптимизирован для низких потерь проводимости. Максимальное RDS(on) при VGS=10 В составляет 5,1 мОм.
При управлении от 4,5 В максимальное RDS(on) составляет 7,2 мОм. Транзистор относится к logic-level устройствам; при подборе следует учитывать ток, тепловой режим и возможности печатной платы по отводу тепла.
ООО НТП «Интенсив» поставляет CSD16404Q5A и другие MOSFET Texas Instruments под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры CSD16404Q5A
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | CSD16404Q5A |
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | NexFET |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 25 В |
| ID, silicon limited | 81 А |
| RDS(on), max @10 В | 5,1 мОм |
| RDS(on), max @4,5 В | 7,2 мОм |
| Корпус | SON 5×6 мм, 8 выводов |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| VGS max | 16 В |
| VGS(th), typ | 1,8 В |
| Qg, typ | 6,5 нКл |
| Qgd, typ | 1,7 нКл |
| Qgs, typ | 3 нКл |
| ID, package limited | 100 А |
| Уровень управления | Logic level |
| Статус | Active |
Документация производителя
Может заинтересовать
![IRLML6302, P-канальный силовой MOSFET, -0.78А, 540мВт [SOT-23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-186.jpg)
