RF1K49154, транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 130
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
RF1K49154, транзистор
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 130
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
КТ8180А, биполярный транзистор
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт):
Корпус: TO218
FDV301N, транзистор SOT-23
Корпус: SOT-23
КТ857А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 7