IRF7307TRPBF, полевой транзистор 20 В 4.3 А
Структура: N&P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20/-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5.2/-4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50/90
IRF7307TRPBF, SO-8
Структура: N&P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20/-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 5.2/-4.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 50/90
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 8.3
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
2Т203Б, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60
IRGP4068DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14
IRLMS1902TRPBF, полевой транзистор 20 В 3.2 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.фев