IRF7309TRPBF, N/P кан транзистор 30B 4/-3A SO8
Infineon

IRF7309TRPBF, N/P кан транзистор 30B 4/-3A SO8

Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8
Все характеристики Запросить предложение

IRF7309TRPBF — сдвоенный силовой MOSFET Infineon с N- и P-каналом в одном корпусе SO-8.

Оба канала рассчитаны на напряжение до 30 В. Максимальные токи стока: N: 4 А / P: −3 А.

Максимальные значения RDS(on) при VGS=10 В: N: 50 мОм / P: 100 мОм; при VGS=4,5 В: N: 80 мОм / P: 160 мОм. Такое исполнение удобно для компактных двухключевых каскадов.

ООО НТП «Интенсив» поставляет IRF7309TRPBF и другие MOSFET Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры IRF7309TRPBF

Параметр Значение
Модель / артикул IRF7309TRPBF
Производитель Infineon Technologies
Тип сдвоенный N+P MOSFET
VDS 30 В
ID N: 4 А / P: −3 А
RDS(on), max @10 В N: 50 мОм / P: 100 мОм
RDS(on), max @4,5 В N: 80 мОм / P: 160 мОм
Корпус SO-8
Ptot 1,4 Вт
Qg, typ 16,7 нКл на канал
Qgd, typ 6 и 5,3 нКл
VGS max ±20 В
RthJA 90 К/Вт
Tj max +150 °C
MSL 1
Статус Active

Документация производителя

Официальная карточка Infineon

Структура: N&P-канал
Корпус: SOIC-8