IRF7331PBF, полевой транзистор 20 В 7 А
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 30
IRF7331PBF, транзистор 2Nкан 20В 7А SO8
Структура: 2N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 30
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2
Крутизна характеристики S,мА/В: 14
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
IRLR8726TRPBF, полевой транзистор 30 В 86 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 86
КТ9155В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 24
КТ203А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 60