IRLR8726TRPBF, полевой транзистор 30 В 86 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 86
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 05.авг
IRLR8726TRPBF, транзистор (IRLR8113) N канал 30В 86А DPak=IRLR8726TRLPBF
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 86
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 2.35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 05.авг
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 75
Крутизна характеристики S,мА/В: 73
Температура, С: -55...+175
Корпус: DPAK/TO-252AA
Может заинтересовать
2Т819А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
BSC059N04LS6, полевой транзистор 40 В 59 А
Структура: N-канал
Корпус: TDSON-8FL
MMBTA92LT1G, биполярный транзистор 300 В 0.5 А
Структура: PNP
Корпус: SOT-23-3