IRF7416TRPBF, полевой транзистор 30 В 10 А
Структура: P-кан+Диод
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.04
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 20
IRF7416TRPBF, транзистор P канал 30В -10А SO8
Структура: P-кан+Диод
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.04
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 20
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 5.6
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
КТ3117А1, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.4
IRFR540ZTRPBF, DPAK/TO-252AA
Корпус: DPAK/TO-252AA
YJL03N06A, полевой транзистор 60 В 3 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23