IRF8736TRPBF — одноканальный N-канальный силовой MOSFET Infineon семейства HEXFET с рабочим напряжением 30 В.
Максимальный ток стока при 25 °C — 18 А. Максимальное RDS(on) при VGS=10 В составляет 4,8 мОм, при 4,5 В — 6,8 мОм.
Компонент выполнен в SMD-корпусе SO-8 и относится к logic-level MOSFET, оптимизированным для управления от низкого напряжения затвора.
ООО НТП «Интенсив» поставляет IRF8736TRPBF и другие MOSFET Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры IRF8736TRPBF
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | IRF8736TRPBF |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Серия | HEXFET |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 30 В |
| ID | 18 А |
| RDS(on), max @10 В | 4,8 мОм |
| RDS(on), max @4,5 В | 6,8 мОм |
| Корпус | SO-8 |
| VGS max | ±20 В |
| VGS(th) | 1,35…2,35 В, тип. 1,8 В |
| Qg, typ @4,5 В | 17 нКл |
| Qgd | 5,8 нКл |
| Ptot | 2,5 Вт |
| RthJA | 50 К/Вт |
| Tj max | +150 °C |
| MSL | 1 |
| Особенность | Logic Level |
| Статус | Active and preferred |
Документация производителя
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
IRLML6302TRPBF, полевой транзистор 20 В 0.62 А
Корпус: SOT-23
NVTFS5116PL, полевой транзистор 60 В 26 А
Структура: P-канал
Корпус: PRPAK3x3
КП303Б, полевой транзистор
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 3
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20