NVTFS5116PL, P-канальный быстропереключательный MOSFET транзистор, -60В, -26А, 5.2Вт (PRPAK3*3) = NV
Структура: P-канал
Корпус: PRPAK3x3
NVTFS5116PL, P-канальный быстропереключательный MOSFET транзистор, -60В, -26А, 5.2Вт (PRPAK3*3) = NV
Структура: P-канал
Корпус: PRPAK3x3
Может заинтересовать
2П302А, транзистор полевой
Структура: N-FET
Максимальное напряжение питания, В: 5
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.024
![BCP56-16, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 100В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/98-5.jpg)
BCP56-16, NPN транзистор в пластиковом корпусе, 100В, 1А, 1.5Вт [SOT-223]
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
IRFP1405PBF, TO-247
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 95