IRFB20N50KPBF, полевой транзистор 500 В 20 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250
IRFB20N50KPBF, транзистор N канал 500В 20А ТО220АВ
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 20
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 250
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 280
Крутизна характеристики S,мА/В: 11
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
IRLML0030, полевой транзистор 30 В 5.3 А
Структура: N-канал
Корпус: SOT-23
BSS138, полевой транзистор 50 В 0.22 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 0.2
HKTQ150N03, полевой транзистор 30 В 150 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 150