IRFB7530PBF, полевой транзистор 60 В 195 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2
IRFB7530PBF, транзистор N канал 60В 195А 2мОм TO220AB StrongIRFET
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 195
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 3.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 375
Крутизна характеристики S,мА/В: 242
Особенности: StrongIRFET
Температура, С: -55...+175
Корпус: TO220AB
