IRFBC30APBF, полевой транзистор 600 В 3.6 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200
IRFBC30APBF, транзистор N канал 600В 3.6А TO220AB
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 03.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 74
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.1
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220AB
Может заинтересовать
2Т819В, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 15
КТ503Д, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.15
ULN2003APG, сборка транзисторов Дарлингтона
Uк-э, В: 50
Iимп. Коллектора, мА: 500
Кол-во, транзисторов: 7