IRFIB7N50APBF, полевой транзистор 500 В 6.6 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 520
IRFIB7N50APBF, транзистор N канал 500В 6.6А TO220FP
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 06.июн
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 520
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 60
Крутизна характеристики S,мА/В: 6.1
Температура, С: -55…+150
Корпус: TO220FP-3
