IRLML5103TRPBF, полевой транзистор 30 В 0.76 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -0.76
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 600
IRLML5103TRPBF, [Micro3/SOT23] транзистор P канал30В -0.76А лог Micro3/SOT23
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -0.76
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 600
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 0.54
Крутизна характеристики S,мА/В: 0.44
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
CSD16403Q5A, транзистор 8SON
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 28
IRFR2407TRPBF, полевой транзистор 75 В 42 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 42
IRGP4068DPBF, IGBT транзистор 600 В 48 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 48
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.14