IRLML6402TRPBF, полевой транзистор 20 В 3.7 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.78
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 65
IRLML6402TRPBF, транзистор P канал20В -3.7А лог Micro3/SOT23
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -3.78
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 65
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.3
Крутизна характеристики S,мА/В: 6
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
КТ3102ГМ, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1
MJE5731A, биполярный транзистор 350 В 1 А
Структура: PNP
КТ940А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.1