IRLML9303, полевой транзистор 30 В 4 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 165
IRLML9303, P-канальный низковольтный MOSFET транзистор, -30В, -4А, 1.25Вт (SOT-23)
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: -2.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 165
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.25
Крутизна характеристики S,мА/В: 2.3
Температура, С: -55…+150
Корпус: Micro3/SOT23
Может заинтересовать
IRF6645TRPBF, полевой транзистор 100 В 25 А
Структура: N-канал
BCX56-16, биполярный транзистор 100 В 1 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 1
КТ818Г, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 90
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 90