MMBFJ310LT1G — N-канальный JFET onsemi для ВЧ и малосигнальных применений в корпусе SOT-23.
Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет MMBFJ310LT1G и другие компоненты onsemi под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | MMBFJ310LT1G |
| Производитель | onsemi |
| Тип | N-канальный JFET |
| V(BR)GSS min | 25 В |
| IDSS min | 24 мА |
| IDSS max | 60 мА |
| Полярность | N-channel |
| Корпус | SOT-23 / TO-236 |
| Габариты корпуса | 2,90×1,30×1,00 мм |
| Шаг выводов | 1,90 мм |
| Монтаж | SMD |
| Квалификация | Standard |
Документация производителя
Может заинтересовать
КТ818А, биполярный транзистор
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40
IRFR5410PBF, полевой транзистор 100 В 13 А
Структура: P-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: -13
MMBT3906LT1G, MMBT3906LT1G
Структура: PNP
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 40