Vishay

SI3900DV-T1-GE3

Структура: N-канал

Максимальное напряжение питания, В: 20

Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 02.апр

Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 125

Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 1.15

Все характеристики Запросить предложение

SI3900DV-T1-GE3 — двойной N-канальный MOSFET производства Vishay. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.

SI3900DV-T1-GE3 объединяет два N-канальных MOSFET на напряжение 20 В. Для каждого канала производитель указывает ток до 2,4 А при сопротивлении открытого канала до 125 мОм при VGS = 4,5 В. Исполнение — TSOP-6.

НТП «Интенсив» поставляет SI3900DV-T1-GE3 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.

В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.

Основные параметры

Модель	SI3900DV-T1-GE3
Производитель	Vishay
Тип	двойной MOSFET
Канал	2×N-канал
VDS	20 В
ID	до 2,4 А на канал
RDS(on)	≤125 мОм @ VGS=4,5 В
Корпус	TSOP-6
VGS max	±12 В
ID pulse	8 А
Ptot	1,15 Вт (5 с), 0,83 Вт steady state
Температурный диапазон	−55…+150 °C
VGS(th)	0,6…1,5 В
Qg	тип. 2,1 нКл, max 4 нКл
Qgd	0,4 нКл
RthJA	до 150 °C/Вт
Технология	TrenchFET

Официальная документация Vishay