SP001575396
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 30
SP001575396 / IRF9410PBF — заказной номер Infineon SP001575396, соответствующий N-канальному MOSFET IRF9410PBF в корпусе SO-8.
Характеристики приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать условия измерения RDS(on), тепловой режим и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет SP001575396 / IRF9410PBF и другие компоненты Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| SP-номер | SP001575396 |
| OPN | IRF9410PBF |
| Производитель | Infineon |
| Тип | N-канальный HEXFET Power MOSFET |
| VDS | 30 В |
| ID @25 °C | 7 А |
| Ptot @TA=25 °C | 2,5 Вт |
| RDS(on) max @10 В | 30 мОм |
| RDS(on) max @4,5 В | 50 мОм |
| VGS max | 20 В |
| VGS(th) min | 1 В |
| Qg typ @10 В | 18 нКл |
| Qgd | 4,9 нКл |
| RthJA | 50 К/Вт |
| Tj max | +150 °C |
| Корпус | SO-8 |
| Монтаж | SMD |
| MSL | 1 |
Документация производителя
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 30
Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк,Вт): 2.5
Крутизна характеристики S,мА/В: 14
Температура, С: -55…+150
Корпус: SOIC-8
Может заинтересовать
FGP20N60UFD, IGBT транзистор 600 В 20 А
Максимальное напряжение питания, В: 600
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 20
Корпус: TO-220
STP4NK80Z, Транзисторы и сборки MOSFET
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 4
IRFP3206PBF, полевой транзистор 60 В 200 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 120