STP4NK80Z, Транзисторы и сборки MOSFET
STP4NK80Z — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics серии SuperMESH. Номинальное напряжение сток–исток составляет 800 В, ток стока — 3 А.
Транзистор выполнен в корпусе TO-220. Технология SuperMESH предназначена для снижения потерь и обеспечения высокой стойкости к dv/dt в высоковольтных ключевых схемах.
Типичное сопротивление открытого канала составляет 2,7 Ом typ.. При выборе необходимо учитывать реальный тепловой режим, напряжение управления затвором и условия переключения.
ООО НТП «Интенсив» поставляет STP4NK80Z и другие силовые MOSFET STMicroelectronics под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.
Основные параметры STP4NK80Z
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель / артикул | STP4NK80Z |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Серия | SuperMESH |
| Тип | N-канальный силовой MOSFET |
| VDS | 800 В |
| ID | 3 А |
| RDS(on) | 2,7 Ом typ. |
| Корпус | TO-220 |
| RDS(on), max | 3,5 Ом @10 В |
| VGS(th) | 3,0…4,5 В, тип. 3,75 В |
| Qg, typ | 22,5 нКл |
| Qgs, typ | 4,2 нКл |
| Qgd, typ | 11,3 нКл |
| Ciss, typ | 575 пФ |
| Coss, typ | 67 пФ |
| Crss, typ | 13 пФ |
| Статус | Active |
| Технология защиты | Zener-protected |
Документация производителя
Может заинтересовать
