SPP17N80C3XKSA1 — N-канальный высоковольтный CoolMOS C3 MOSFET Infineon на 800 В в корпусе PG-TO220-3.
Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет SPP17N80C3XKSA1 и другие компоненты Infineon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | SPP17N80C3XKSA1 |
| Базовый тип | SPP17N80C3 |
| Производитель | Infineon |
| Серия | CoolMOS C3 |
| Тип | N-канальный MOSFET |
| VDS | 800 В |
| ID @25 °C | 17 А |
| ID @100 °C | 11 А |
| ID pulse | 51 А |
| RDS(on) max | 0,29 Ом |
| Qg typ | 88 нКл |
| VGS max | ±20 В DC / ±30 В AC |
| EAS | 670 мДж |
| Ptot | до 227 Вт по актуальному datasheet |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Монтаж | THT |
| Статус | Not recommended for new designs |
Документация производителя
Корпус: TO-220
Может заинтересовать
IRF630NPBF, полевой транзистор 200 В 9.5 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 09.мар
BC847A, биполярный транзистор 50 В 100 мА
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 50
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 45