STD4NK60ZT4, Транзистор  600D 4A  N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
STMicroelectronics

STD4NK60ZT4, Транзистор 600D 4A N Channel TO-252 MOSFETs ROHS

Корпус: TO-252
Все характеристики Запросить предложение

STD4NK60ZT4 — высоковольтный N-канальный силовой MOSFET STMicroelectronics серии SuperMESH. Номинальное напряжение сток–исток составляет 600 В, ток стока — 4 А.

Транзистор выполнен в корпусе DPAK. Технология SuperMESH предназначена для снижения потерь и обеспечения высокой стойкости к dv/dt в высоковольтных ключевых схемах.

Типичное сопротивление открытого канала составляет 1,7 Ом typ.. При выборе необходимо учитывать реальный тепловой режим, напряжение управления затвором и условия переключения.

ООО НТП «Интенсив» поставляет STD4NK60ZT4 и другие силовые MOSFET STMicroelectronics под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры STD4NK60ZT4

Параметр Значение
Модель / артикул STD4NK60ZT4
Производитель STMicroelectronics
Серия SuperMESH
Тип N-канальный силовой MOSFET
VDS 600 В
ID 4 А
RDS(on) 1,7 Ом typ.
Корпус DPAK
RDS(on), max 2 Ом @10 В
VGS(th) 3,0…4,5 В, тип. 3,75 В
Qg, typ 18,8 нКл
Qgs, typ 3,8 нКл
Qgd, typ 9,8 нКл
Ciss, typ 510 пФ
Coss, typ 67 пФ
Crss, typ 13 пФ
Статус Active
Класс Industrial

Документация производителя

Официальная карточка STMicroelectronics

Корпус: TO-252