SVF12N65F, N-канальный транзистор 650В ТО-220
Структура: N-канал
Корпус: TO-220
SVF12N65F — N-канальный высоковольтный MOSFET Silan на 650 В, выполненный по технологии F-Cell VDMOS.
Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет SVF12N65F и другие компоненты Silan под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | SVF12N65F |
| Производитель | Silan |
| Тип | N-канальный power MOSFET |
| Технология | F-Cell VDMOS |
| VDS | 650 В |
| ID | 12 А |
| RDS(on) typ @10 В | 0,64 Ом |
| Особенности | Low gate charge; low Crss; fast switching |
| dv/dt | повышенная стойкость |
| Корпус | TO-220F-3L |
| Монтаж | THT |
| Применение | AC-DC, DC-DC, H-bridge PWM motor drivers |
Документация производителя
Структура: N-канал
Корпус: TO-220
Может заинтересовать
TIP122, биполярный транзистор 100 В 5 А
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 100
![IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]](https://ntp-int.ru/wp-content/uploads/2024/01/900024-172.jpg)
IRLML2803, N-канальный MOSFET транзистор, 1.2А, 540Вт [SOT23]
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 01.фев
IRF540NSTRLPBF, полевой транзистор 100 В 33 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 33