VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт   SOT23-3
VBSEMI

VB1102M, МОП-транзистор, 100 V Pd - рассеивание мощности: 2.5 Вт SOT23-3

Корпус: SOT-23-3
Все характеристики Запросить предложение

VB1102M — силовой MOSFET VBsemi, конфигурация: N-канал. Рабочее напряжение сток–исток составляет 100 В, максимальный ток стока — 2 А.

Компонент выполнен в корпусе SOT23-3. Сопротивление открытого канала по данным производителя: 240 мОм @10 В.

При подборе необходимо учитывать полярность, напряжение, ток, условия управления затвором, тепловой режим и точное исполнение корпуса.

ООО НТП «Интенсив» поставляет VB1102M и другие силовые MOSFET VBsemi под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.

Таблица дополнена подтверждёнными управляющими, динамическими, тепловыми и эксплуатационными параметрами, важными при расчёте потерь, драйвера затвора и теплового режима.

Основные параметры VB1102M

Параметр Значение
Модель / артикул VB1102M
Производитель VBsemi
Тип N-канальный MOSFET
VDS 100 В
ID 2 А
RDS(on) 240 мОм @10 В
Корпус SOT23-3
VGS max ±20 В
VGS(th) 1,5 В
RDS(on) @4,5 В 260 мОм
RDS(on) @10 В 240 мОм
Технология Trench
Конфигурация Single-N
Монтаж SMD

Документация производителя

Официальный сайт VBsemi

Корпус: SOT-23-3