VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VB2658 — P-канальный trench MOSFET производства VBsemi. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.
VB2658 рассчитан на напряжение сток–исток −60 В и ток стока до −5,2 А. Сопротивление открытого канала составляет до 52 мОм при VGS = −4,5 В и до 50 мОм при VGS = −10 В. Исполнение — SOT-23-3.
НТП «Интенсив» поставляет VB2658 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.
В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.
Основные параметры
| Модель | VB2658 |
| Производитель | VBsemi |
| Тип | Trench MOSFET |
| Канал | P-канал |
| VDS | −60 В |
| ID | −5,2 А |
| RDS(on) | ≤52 мОм @ −4,5 В; ≤50 мОм @ −10 В |
| VGS | ±20 В |
| Корпус | SOT-23-3 |
| VGS(th) | −1,7 В |
| Технология | Trench |
| Конфигурация | Single-P |
| Монтаж | SMD |
