VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)
VBSEMI

VB2658, P-канал транзистор 60В (D-S) (=SI2309CDS-T1-GE3)

Структура: P-канал
Все характеристики Запросить предложение

VB2658 — P-канальный trench MOSFET производства VBsemi. Точное обозначение изделия подтверждено официальной документацией производителя.

VB2658 рассчитан на напряжение сток–исток −60 В и ток стока до −5,2 А. Сопротивление открытого канала составляет до 52 мОм при VGS = −4,5 В и до 50 мОм при VGS = −10 В. Исполнение — SOT-23-3.

НТП «Интенсив» поставляет VB2658 под заказ. При подборе и замене компонента следует ориентироваться на точное заказное обозначение и официальную техническую документацию производителя.

В расширенной таблице ниже приведены также подтверждённые управляющие, динамические и тепловые параметры, важные при расчёте драйвера затвора, потерь переключения и теплового режима.

Основные параметры

Модель VB2658
Производитель VBsemi
Тип Trench MOSFET
Канал P-канал
VDS −60 В
ID −5,2 А
RDS(on) ≤52 мОм @ −4,5 В; ≤50 мОм @ −10 В
VGS ±20 В
Корпус SOT-23-3
VGS(th) −1,7 В
Технология Trench
Конфигурация Single-P
Монтаж SMD

Официальная документация VBsemi

Структура: P-канал