WMJ90R500S, Транзистор полевой MOSFET N-Channel SJ-MOS S 900V
Структура: N-канал
Корпус: TO
WMJ90R500S — N-канальный super-junction MOSFET Wayon серии WMOS S на 900 В в корпусе TO-247.
Параметры ниже приведены по официальной документации производителя. При подборе и замене необходимо учитывать режим работы, тепловые условия и параметры управления затвором.
ООО НТП «Интенсив» поставляет WMJ90R500S и другие компоненты Wayon под заказ. Стоимость и срок поставки уточняются по запросу.
Основные параметры
| Модель / артикул | WMJ90R500S |
| Производитель | Wayon |
| Серия | WMOS S |
| Тип | N-канальный super-junction MOSFET |
| VDS | 900 В |
| ID @25 °C | 10 А |
| ID @100 °C | 6 А |
| ID pulse | 40 А |
| RDS(on) typ | 0,41 Ом |
| VGS max | ±30 В |
| EAS | 150 мДж |
| Ptot | 138 Вт |
| RthJC | 0,9 °C/Вт |
| RthJA | 62 °C/Вт |
| Температурный диапазон | −55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Монтаж | THT |
| Упаковка | Tube |
Документация производителя
Структура: N-канал
Корпус: TO
Может заинтересовать
IRF3710PBF, полевой транзистор 100 В 57 А
Структура: N-канал
Максимальное напряжение питания, В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А: 57
MJE15035G, TO-220AB
Корпус: TO-220AB
КТ857А, биполярный транзистор
Структура: NPN
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*:
Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 7