RA60H1317M1A-501, вч тразистор, замена RA60H1317M1A-101
Может заинтересовать
GD2400SGX170A4S — IGBT-модуль, 2400А, 1700В
Макс.напр.к-э,В: 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 2400
Структура модуля: одиночный транзистор
CM1000DXL-24S — IGBT-модуль, 1000А, 1200В
Макс.напр.к-э,В: 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А: 900
Структура модуля: полумост