IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650 В 30 А

Максимальное напряжение питания, В: 650

Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 30

Корпус: TO-247

Все характеристики Запросить предложение

IKFW40N65ES5XKSA1, IGBT транзистор 650В, 30А, 106Вт до 175гр C TO-247

Максимальное напряжение питания, В: 650

Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A: 30

Корпус: TO-247

Может заинтересовать

Транзисторы ИНТЕГРАЛ

КТ645Б, биполярный транзистор

Структура: NPN

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 40

Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А): 0.3

Запросить предложение

Транзисторы ON Semiconductor

MJE350G, биполярный транзистор 300 В 0.5 А

Структура: PNP

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В: 300

Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В: 300

Запросить предложение